Al Pad PVD用于其后道金属互联，为芯片中各器件提供电子信号、微连线等作用

金属硬掩膜PVD系统为后段绝缘介质(Low-k)刻蚀提供TiN Mask，改善刻蚀形貌和CD均匀性。

应用于集成电路、功率器件、MEMS等领域的8寸PVD磁控溅射设备

设备满足28nm FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求；可根据需求量身定制硬件升级方案。

单片退火系统为集成电路后段制程提供热处理工艺，可去除水气和有机物残留，还原金属自然氧化层。

应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

设备满足28nm FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求；可根据需求量身定制硬件升级方案。

应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

晶圆级3D先进封装领域中的硅通孔阻挡层、籽晶层薄膜沉积工艺，可实现铜、钛、钽、铝等薄膜沉积。

晶圆级先进封装领域的Fan-out、CIS、Gold Bump、Copper Pillar等相关的 RDL、UBM薄膜沉积工艺。

应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

应用于集成电路、功率器件、MEMS等领域的8寸PVD磁控溅射设备

设备满足28nm FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求；可根据需求量身定制硬件升级方案。

用于制备具有优异的导电性和高的可见光透过率的ITO电流扩展层，可有效提升LED芯片的光电性能。

设备满足28nm FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求；可根据需求量身定制硬件升级方案。

应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

AlN缓冲层的加入，可以有效提升LED器件的光电性能、提高MO设备产能和降低生产成本。

应用于集成电路、功率器件、MEMS等领域的8寸PVD磁控溅射设备

设备满足28nm FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求；可根据需求量身定制硬件升级方案。

应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备