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Al Pad PVD用于其后道金属互联,为芯片中各器件提供电子信号、微连线等作用
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金属硬掩膜PVD系统为后段绝缘介质(Low-k)刻蚀提供TiN Mask,改善刻蚀形貌和CD均匀性。
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应用于集成电路、功率器件、MEMS等领域的8寸PVD磁控溅射设备
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设备满足FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求;可根据需求量身定制硬件升级方案。
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单片退火系统为集成电路后段制程提供热处理工艺,可去除水气和有机物残留,还原金属自然氧化层。
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应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

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设备满足FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求;可根据需求量身定制硬件升级方案。
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应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备
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晶圆级3D先进封装领域中的硅通孔阻挡层、籽晶层薄膜沉积工艺,可实现铜、钛、钽、铝等薄膜沉积。
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晶圆级先进封装领域的Fan-out、CIS、Gold Bump、Copper Pillar等相关的 RDL、UBM薄膜沉积工艺。

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应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

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应用于集成电路、功率器件、MEMS等领域的8寸PVD磁控溅射设备
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设备满足FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求;可根据需求量身定制硬件升级方案。

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设备满足FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求;可根据需求量身定制硬件升级方案。
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应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备

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应用于集成电路、功率器件、MEMS等领域的8寸PVD磁控溅射设备
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设备满足FinFET、Double pattern和3D NAND原子层沉积工艺要求;可根据需求量身定制硬件升级方案。
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应用于先进封装、集成电路、功率器件、MEMS、LED等领域的8寸PVD磁控溅射设备